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　太阳光を利用して水から水素を生成する光触媒は、日本人研究者を中心として研究が进められています。これまでの光触媒开発は主にトライアンドエラーによるもので、高性能光触媒を合理的に设计することが难しく、何を制御すれば高性能化できるのか十分にわかっていませんでした。
　九州大学エネルギー研究教育機構（Q-PIT）の山崎仁丈教授、稲盛フロンティア研究センターの兵頭潤次特任助教、東京工業大学の前田和彦准教授、熊谷啓特任助教、西岡駿太（大学院生?日本学術振興会特別研究員）、豊田工業大学の山片啓准教授、Junie Jhon M. Vequizo博士、物質?材料研究機構（NIMS）の木本 浩司博士、山下俊介博士らの研究グループは、金属酸化物であるチタン酸ストロンチウム（SrTiO3-δ）に高濃度の酸素欠陥と電子をドープすることで、紫外光照射下における水素生成速度、酸素生成速度がそれぞれ40倍、3倍と大幅に向上することを発見しました。また、この理由が、紫外光照射により励起された電子寿命の延長およびホール流束の増大によることを世界で初めて明らかにしました。
　これらは材料科学と触媒化学の学际融合研究による成果であり、この光触媒设计指针に基づいて新规光触媒を开発することで、今后は太阳光と光触媒を利用した水素生成反応のさらなる高性能化が期待されます。
　本研究は、日本学術振興会　科学研究費補助金（JP16H06440, JP16H06441, JP17H05491, JP16H06130, JP15K14220, JP15H02287, JP16H00891）の支援を受けました。
本研究成果は、米国化学会の国際学術誌『ACS Catalysis』のオンライン速報版で日本時間2018年6月19日（火）に掲載されました。確定版は日本時間2018年7月3日（火）に掲載されました。

（参考図）
电子ドープした光触媒では、励起した电子の寿命が着しく长くなります（図中左）。また、电子ドープにより表面近傍の半导体におけるバンド曲がりが大きくなります（図中右）。これらの影响により、反応に利用される电子?ホール数が向上し、水素?酸素生成速度が大きくなることが明らかとなりました。